SJ 50033.114-1996 半导体光电子器件GD3283Y型位敏探测器详细规范
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ID： |
D3F3926667874B7990053CDC870B1CA2 |
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文件大小(MB)： |
0.84 |
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11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5980 SJ 50033/114-96,半导体光电子器件,GD3283Y型位敏探测器,详细规范,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for type GD3283Y,position sensitive detector,1996-08-30 发布1997-01-0I 实施,中华人民共和国电子工业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GD 3283Y型位敏探测器详细规范SJ 50033/114-96,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for type GD3283Y,position sensitive detector,1范,1.1主题内容,本规范规定了 GD3283Y型位敏探测器(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3分类,1.3.1 器件等级,本规范所提供的器件保证等级按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,从低到高分为,普军级(GP)和特军级(GT)两级,2引用文件,GB 11499—89,GJB 33—85,GJB 128—86,GJB 597—88,SJ 2354—83,SJ/Z 9014.2—87,半导体分立器件文字符号,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,微电路总规范,PIN雪崩光电二极管测试方法,半导体器件 分立器件和集成电路第5部分:光电子器件,3要求,3.1 详细要求,各条要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计和外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,结构应采用二维平面在分割成,Xi、X2、Y］、Y2对称四电极为直角坐标的PIN结构。也可按合同要求提供不同于图1的外形,尺寸(见6.2条),中华人民共和电子工业部1996-08-30发布1997-01-01 实施,1,SJ 50033/114-96,mm,尺寸符号最小值最大值,D 26.0 26.6,D1 21.4 21.8,D2 19.1 20.6,D3 18.8 19.2,D4 0.1 0.6,h 4.6 5.2,hl 0.6 0.8,L 15 20,6 43 47,图1外形尺寸,3.2.1 器件芯片材料,器件芯片材料为硅,3.2.2 引出端排列,管脚1 2 3 4 5,接线共用电极X? 匕X1 匕,3.2.3 封装形式,全密封金属管壳平面玻璃窗口,3.2.4 引线长度,可按合同的规定（见6.2条）提供引线长度不同于图1规定的器件,3.3 引线材料及涂层,引线材料为可伐合金,引线涂层应镀金。也可按合同要求（见6.2条）选择涂层,3.4 最大额定值和主要光电特性,3.4.1 最大额定值,1 amb T1,stg 3 「F Vr p 2 tot,r c 匕mA V mW,一 45 .85 一 55 .100 260 10 20 30,注:1）最长焊接时间不超过5s,至管壳的最短距离5mm,3.4.2 主要光电特性（Tamb = 25匕）,2,SJ 50033/114-96,特性狂 耳,付亏测试条件,极限值,单位,最小最大,暗电流VR = 10 Vf Ee = 0 0.15 gA,高温下的暗电流Ir（d） VR=10V,Ee = 0t T8mb =85匕45.0 gA,灵敏度s A = 0.90/imt VR=10V,Ee— 5pW/mm2,0.50 MA/mW,峰值响应波长% VR = 10V, Ee= 5/iW/mm2 0.92 0.95,光谱响应波长范围スVR = 10V, Ee= 5*W/mm2,最短和最长波长下的灵敏度至,少应为峰值响应波长灵敏度的,1/10,0.40 1.10 jxm,噪声等效功率NEP ス= 0.90*m, Vr = 10V, 1X10-12 w,Ee= 5 廿 W/mm\/= IKHz,△/=lHz,Hz'1/2,上升时间A = 0.90/xm, VR = 10V,Ee— 1 mW / mm2,1.0 MS,下降时间Rl=50C 1.0 MS,总电容Cfcrt VR = 10V,/= 1MHz 90 PF,反向击穿电压Vbr fr =100gA 60 V,位置清晰度Spo A = 0.9〇*m, Vr = 10V,Ee= 5fiW/ mm2,10,位置非线性度Zpo A = 0.90'm, Vr=10V,Ee = 5vW/mm2,从光敏元,中心到边缘距离的25%,2.5%,灵敏度非均匀性7n X = 0.90fiw., Vr=I0V,Ee— 5#W/ mm2,5%,光敏元面积Ae 10 x 10（标称值） mm2,3.5 标志,器件的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.1.1 表2Al分组进行检验的器件可以用于A2分组的检验和试验,A2分组进行检验和试,验的器件可以用于A1、A4和A7分组的检验和试验,通过A组各分组检验和试验的器件,可,以作为检验和试验抽样的器体,鉴定试验总样品量（指通过A组检验批的数量）至少应等于抽,3,SJ 50033/114-96,样数量的L5倍,抽样表采用GJB 597中的小数量抽样表,4.1.2 表3B1分组、B4分组的检验和试验可以采用光电特性不符合3.1.2条要求的器件,4.1.3 表4cl分组进行检验的器件可以用于表4c2分组的检验和试验,4……
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